AG和记常见电子元件选型方法

　　AG和记因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。

　　整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（1000V）85～125℃

　　整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）85～115℃

　　Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P15℃，θjc是从结到壳的热阻AG和记，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。

　　这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理。

　　Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。

　　IC必须在RBSOA(反偏安全工作区)与FBSOA(正偏安全工作区)范围内降额30%（就是额定的70%）

　　Tcase(外壳温度)≤0.75×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。

　　铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。而很多开关电源的故障率偏高，都是因为对铝电解的使用不当造成的。

　　2，在电容体之下，PCB正面，尽量不要有地线之外的其他走线，纹波电流，这个问题比较复杂，因为开关电源中，纹波电流的频谱是非常丰富的，所以必须把纹波电流折算一下：

　　4，电解电容的初始容量要保证20%的裕量。同时，要保证额外的20%的容量裕量，以应对寿命快到时的容量衰减。

　　5，电解电容的寿命温度加速因子为2每10℃，也就是说，温度每升高10度，寿命减半。

　　7，自温升5℃，所谓自温升，是指电容实际工作时，完全因为自身发热导致的温升AG和记。

　　2，表面温度85℃，超过85℃耐压按照下图降额使用。此处的电压指的是直流电压叠加交流峰值电压。

　　5，薄膜电容的使用寿命取决于电压值和电压脉冲的上升速率。允许的脉冲数量和电压值以及脉冲斜率的关系，如下式：

　　固定线性电阻包括：碳膜、金属膜、金属氧化膜、金属釉、碳质等电阻和绕线电阻。

　　电阻的可靠性主要取决于电阻的温度，而温度则是环境温度和自身功率损耗产生热量后叠加的效果。

　　从图中可以知道，对于阻值低于临界阻值的电阻，使用是受功率限制，而对于高于临界阻值的电阻，使用上是受耐压的限制。

　　对于单个脉冲的功率限制，取决于脉冲的形状。同时脉冲的峰值电压必须不能超过额定限制。

　　在25℃下，保险丝的电流应该降额25%使用。在环境温度升高时，慢熔断的保险丝，要按照0.5%/℃来增加降额。而快融断保险丝则按照0.1%/℃来增加降额。

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